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富士電機、マレーシアでIGBTモジュール生産

2007年10月2日(火) 11時25分(タイ時間)
【マレーシア】 富士電機デバイステクノロジーは9月28日、電力用スイッチング素子として使われる「絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ」(IGBT)用の薄ウエハーなどをマレーシア・クダ州クリムに建設する新工場で生産すると発表した。新工場は現在ハードディスクを生産しているマレーシア富士電機の敷地内に設ける。日本国内での増産分も含め、設備投資額は約280億円。

 前工程のIGBT150ミリ薄ウエハーは、マレーシアで2009年4月から月産5000枚で量産を開始し、同年10月までに同1万5000枚まで増産する。松本工場でも追加増産を行い、産業用IGBT薄ウエハーの生産能力は同3万9000枚となる。

 また、後工程のIGBTモジュールは、来年4月からマレーシアで同5万個の生産を開始。10年4月までに同30万個まで生産を拡大する。大町富士(長野県大町市)との合計で、生産能力を10年4月までに同110万個に引き上げる。
《newsclip》